10.3969/j.issn.1002-8935.2016.05.002
高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究
采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜.进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯.通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76 W/m·K.
氮化硅基片、流延成型、硅粉氮化、气压烧结
TQ174.5
国家自然科学基金51572277;高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室的资助
2016-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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