氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究

摘要：

冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列.制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比.场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9 V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中.

关键词：氧化钨纳米线、热氧化制备、场发射特性

分类号：TN14(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金项目60925001;国家重点基础研究发展计划项目2010CB327703,2013CB933601;广东省科技厅,广州市科信局的资助项目

在线出版日期：2015-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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