TM11模对高功率盒形窗次级电子倍增效应影响的研究

摘要：

本文对S波段盒形窗内TE11模和TM11模两个模式存在下的次级电子倍增效应进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗次级电子倍增的阈值,通过对比双面法向谐振倍增(法向电场激励)和单面切向倍增(切向电场激励)两种倍增方式,证明了TM11模法向场的存在改变了窗片表面次级电子倍增的轨迹,使次级电子倍增的电场阈值上限降低,且该现象是由倍增初期的窗片表面的双面谐振所致.

关键词：盒形窗、TM11模、次级电子倍增、阈值

分类号：TG3;TN1

在线出版日期：2014-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23