多孔硅场发射阴极研究进展

摘要：

多孔硅(Porous Silicon,PS)平面阴极的场发射电子能量高、发散角小、对真空度不敏感、响应快,尤其适合用作场发射显示的电子源,基于PS阴极的无放电气体激发发光也为新型环保的高效平面光源技术带来了希望.本文介绍了PS阴极的电子发射原理及其研究进展,展望了其在显示技术、无放电气体激发发光技术、金属线沉积、电子束刻蚀以及其他领域的应用前景.

关键词：多孔硅、冷阴极、表面电子发射、平板显示器件

分类号：TN141;TN873+.95(真空电子技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目2010-61

在线出版日期：2012-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：36-42