近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

摘要：

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100％,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98％.

关键词：近贴聚焦、成像器件、管体注铟、熔层气泡、铟锡合金层

分类号：TN383(半导体技术)

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：58-60