10.3969/j.issn.1002-8935.2010.03.014
IGBT在无汞平面光源驱动电源中的应用
本文对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在无汞平面光源驱动电源中的应用可行性进行了分析.同时对IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能进行了比较,对IGBT在无汞平面光源中应用的可行性进行了分析.结果表明IGBT在大电流应用场合更具优越性,同时IGBT的温度特性优于MOSFET,采用IGBT可以简化电路结构.基于上述分析,设计了一组采用IGBT的12寸无汞平面光源的驱动电源,实验结果表明采用IGBT可以简化电路结构,降低电路成本.
绝缘栅双极晶体管、平面光源、驱动电源、发光效率
TN710.2;TM923.32(基本电子电路)
2010-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
53-56