低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究

摘要：

首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体.利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN-AlN基复相陶瓷.通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出显微结构均匀的AlN-20%BN(质量比)复相陶,其热导率为78.1 W/m·K,在Ka波段介电常数为7.2、介电损耗最小值为13×10-4;通过材料化学工艺,将烧结助剂Y2O3均匀添加到AlN基体中,制备出热导率为154.2W/m·K,在Ka波段介电常数为8.5、介电损耗最小值为9.3×10-4的AlN陶瓷材料.

关键词：AlN陶瓷、BN-AlN基复相陶瓷、低介电损耗、化学工艺

分类号：TQ174

在线出版日期：2009-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-53,68