基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极

摘要：

介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论.引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层.InOx,纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx/C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域.本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无.

关键词：平面显示、栅控、电子发射、InOx纳米岛、C

分类号：O462(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金60571015/F010501

在线出版日期：2009-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-46,59