微光器件铟封漏气因素分析

摘要：

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关.采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%.

关键词：微光器件、铟封漏气、气密性、杂质污染

分类号：TN105(真空电子技术)

在线出版日期：2009-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：47-49