p型GaN基器件的欧姆接触

摘要：

宽带隙的GaN具有优良的物理和化学性质,己成为半导体领域研究的热点之一.p型GaN的欧姆接触问题制约了GaN基器件的进一步发展.本文首先介绍了欧姆接触的原理及评价方法,详细讨论了实现良好的p型GaN欧姆接触的主要方法是采取表面处理技术、选择合适的金属电极材料和进行热退火处理,以及研究进展情况.最后指出目前存在的问题并提出今后的研究方向.

关键词：p型氮化镓、欧姆接触、比接触电阻、表面处理、金属电极材料、热退火

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：邵阳职业技术学院2008年重点科研资助项目SZ2008006

在线出版日期：2009-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：42-46