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10.3969/j.issn.1002-8935.2007.03.016

纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响

引用
采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响.实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化.将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能.当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能.

Ni81Fe19薄膜、各向异性磁电阻、纳米氧化层、镜面反射

TM271(电工材料)

国家自然科学基金50671008;教育部跨世纪优秀人才培养计划NCET-04-0104;国防科技应用基础研究基金A1420060203

2007-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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1002-8935

11-2485/TN

2007,(3)

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