10.3969/j.issn.1002-8935.2007.01.013
锰铬体掺杂氧化铝陶瓷及其金属化
基于95%氧化铝陶瓷开展锰铬体掺杂改性,掺杂后陶瓷样品的表面二次电子发射系数明显减小,表面电阻率显著降低,从而使其具有更高的表面绝缘能力(真空中).针对锰铬体掺杂陶瓷样品开展了金属化试验,结果表明:通过对金属化膏剂配方和工艺的适当调整,体掺杂陶瓷的金属化效果良好,气密性和机械强度均满足使用要求.
氧化铝陶瓷、体掺杂、表面性能、金属化
TB756(真空技术)
2007-06-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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