Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质

摘要：

将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管.对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究.Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100.在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用.研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强.此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性.

关键词：C60薄膜、整流接触、肖特基势垒接触、金属-绝缘层-半导体

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2006-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27