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10.3969/j.issn.1002-8935.2006.01.020

印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究

引用
对基于印刷碳纳米管(CNT)薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究.微观分析结果表明,器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的.印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生.通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理,有效地预防了真空击穿的发生,并使薄膜的场发射均匀性得到提高,证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用.

丝网印刷、碳纳米管薄膜、场致发射、失效行为、老炼、可靠性

TN27;O462.4(光电子技术、激光技术)

国家高技术研究发展计划863计划60036010;60276037;国家科技攻关项目2001AA313090;高等学校博士学科点专项科研项目20020698014

2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

68-71

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真空电子技术

1002-8935

11-2485/TN

2006,(1)

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