HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究

摘要：

利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC.研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨.此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路.

关键词：碳纳米管、场发射、碳化铪

分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-50,57