10.3969/j.issn.1002-8935.2006.01.007
CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征
CdS是一种直接能隙半导体,其带隙约为2.42 eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单,成本低廉,成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点.本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究,阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理,并不断优化此方法中的各种工艺参数,得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池过渡层的CdS薄膜,并对该薄膜的形貌、结构和性能进行了分析.
CdS薄膜、水浴法、太阳能电池
O484(固体物理学)
中国科学院资助项目6506001340;高等学校博士学科点专项科研项目20030286003;教育部留学基金6806001005;东南大学校科研和教改项目9206002193;9206001344
2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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