10.3969/j.issn.1002-8935.2005.03.006
掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光特性分析
在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和实验结果符合很好.
GaAs/AlGaAs、超晶格、光致发光
TN383+.2(半导体技术)
2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
17-19
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1002-8935.2005.03.006
GaAs/AlGaAs、超晶格、光致发光
TN383+.2(半导体技术)
2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
17-19
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn