用ECR-CVD方法制备SiO2薄膜

摘要：

本文在低温下利用ECR-CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系.直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%.对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050 cm-1处出现Si-O-Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明显的Si-H和N-H吸收峰,表明薄膜具有很低的H含量.

关键词：电子回旋共振、化学汽相沉积、氧化硅、薄膜

分类号：O484.1(固体物理学)

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-50,58