10.3969/j.issn.1002-8935.2004.06.012
ZrO2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响
在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响.掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0.2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰.而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向.
等离子体显示板、复合介质保护膜、氧化锆、结晶取向
TN141.5(真空电子技术)
教育部科学技术研究项目教技司[2002]78号,项目号0205
2005-01-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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