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10.3969/j.issn.1002-8935.2004.03.011

CuInSe2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析

引用
采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜.CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节.测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光吸收等性质.

铜铟硒、射频溅射、纳米颗粒膜

O484(固体物理学)

2004-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

40-42

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1002-8935

11-2485/TN

2004,(3)

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