a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究

摘要：

以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a-C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性.实验表明,沉积速率在5～8 nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性.

关键词：PECVD、沉积速率、a-C:F薄膜、表面形貌

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26