10.13385/j.cnki.vacuum.2017.05.17
1D1R型阻变存储器的研究进展
本文从二极管类型、器件组成和单元结构综述了1D1R型阻变存储器的研究进展.二极管可分为硅基二极管、氧化物二极管(p-n结型、肖特基型)和聚合物二极管.硅基二极管性能优异,但制备温度高,不利于集成;氧化物二极管易制备,且与CMOS工艺兼容,但正向电流密度不足;聚合物二极管虽然性能较差,但易于大面积制备,柔性好.单元结构可分为1D1R、1D2R和Bi-1D1R.1D1R研究最为广泛,但不适用于双极型阻变介质,1D2R和Bi-1D1R型可适用于双极型阻变介质.分析静态和柔性下的器件表明:阻变介质和制备方法对于存储器的性能有较大影响,柔性1D1R型阻变存储器已经具备了一定的抗弯扭、卷绕能力,其柔性主要受到基底性质、膜层间粘附力、杨氏模量差、材料属性等影响.
阻变、二极管、1D1R、柔性电子
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TB43(工业通用技术与设备)
2017-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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