等离子体源辅助磁控溅射法低温(200℃)制备多晶硅薄膜

摘要：

利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜.详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究.利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征.

关键词：多晶硅薄膜、电感耦合等离子体、磁控溅射、拉曼散射、红外光谱

所属期刊栏目：49

分类号：O484;TR43(固体物理学)

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50