掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

摘要：

应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.

关键词：三氧化二铝薄膜、中频反应磁控溅射、掺杂浓度、光致发光、Ce

所属期刊栏目：46

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50376067

在线出版日期：2009-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：33-37