氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响

摘要：

采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响.测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3 min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大.Ar+轰击时间由1 min增加到3 min时,平均晶粒尺寸由16.6 nm增加到22.9 nm,电阻率从16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.溅射功率从3250 W增加到7500 W时,(111)晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm.

关键词：磁控溅射、Gu薄膜、溅射功率、放电时间、择优取向、电阻率

所属期刊栏目：46

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2009-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18