脉冲激光沉积ZnO薄膜的制备及其性能研究

摘要：

本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜.X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387 nm附近存在明显的吸收边,且薄膜的吸收对基片温度变化不明显.通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出:Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随着Mn离子掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增加;薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁.

关键词：PLD、ZnO薄膜、Zn1-xMnxO薄膜、光吸收谱

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.2+1(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：65-67