硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响

摘要：

采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响.研究结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率、平均晶粒尺寸、晶化率和电导率均呈现相似的变化规律,而谱中出现的拐点由硅烷浓度决定.该变化规律可通过相应的薄膜生长的微观理论得到合理的解释.

关键词：微晶硅薄膜、硅烷浓度、晶化率、Raman散射谱

所属期刊栏目：45

分类号：O484;TB43(固体物理学)

资助基金：国家"973"课题2006CB202601

在线出版日期：2008-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：62-64