ZnO薄膜的制备方法、性质和应用
介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容.ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法.前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等.从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质.与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等.对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨.
ZnO薄膜、制备工艺、光电特性、光电器件
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TN304.055;TN304.2+1;TN304.2+5(半导体技术)
天津市高校科技发展基金项目20060605
2008-12-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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