掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si∶H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA) 法对其进行固相晶化.研究结果表明:掺硼a-Si∶H薄膜在550℃恒温条件下退火3 h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜.另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响.

关键词：掺硼非晶硅薄膜、脉冲快速光热退火、固相晶化

所属期刊栏目：44

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：河南省科技攻关项目0424210016

在线出版日期：2007-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-31