FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法

摘要：

利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜,溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火.实验结果表明,FeCoSiB的应力阻抗效应与制备工艺(工作气压、溅射磁场)和退火条件(退火温度、退火时间)有着非常密切的联系.当偏置磁场从60 Oe增加到120 Oe时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到了1.65%.在80 Oe磁场下,薄膜经300℃、40 min退火处理后,应力阻抗效应达1.86%.

关键词：磁弹性薄膜、应力阻抗、溅射气压、偏置场、退火处理

所属期刊栏目：43

分类号：TB303;TG156.2(工程材料学)

资助基金：国家预研基金41312040503

在线出版日期：2006-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28