去除光刻胶的新干法工艺

摘要：

除去干刻或高剂量等离子注入后的光刻胶,一般是采用化学溶剂和酸类等湿刻法,以前有时采用干燥氧的等离子灰化法.然而成本高,具有危险性和污染性的化学湿刻法直接造成了环境污染,使得全球气候变暖,能源的大量消耗,地下水受到污染等等.一种新的干式去胶并且处理后可用去离子水DI清洗残留物的工艺方法(ENVIRO)已经在半导体芯片厂被成功地使用了12个多月.对于产量10000片/周的芯片厂,相对于化学湿刻法一年可以节省5百万美元溶剂消耗.

关键词：等离子刻蚀、化学湿刻、光刻胶、ENVIRO

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：12-16