10.11833/j.issn.2095-0756.20190587
基于响应面法的耐镉假单胞菌TCd-1培养条件优化
[目的]利用响应面法优化耐镉菌株假单胞菌Pseudomonas TCd-1的培养条件.[方法]以基础发酵培养条件为对照,菌株吸光度D(660)作为评价指标,利用单因素试验确定培养基组分的最佳碳源、氮源和无机盐种类,通过Plackett-Burman试验设计评价牛肉膏、酵母粉、氯化镁、培养温度、初始pH、接菌量、培养时间和转速8个因素对菌株生长的影响,进而确定显著影响因素,然后进行最陡爬坡试验获得显著影响因素的最优组合,结合Box-Behnken试验设计和响应面分析,优化假单胞菌TCd-1的培养条件.[结果]菌株培养基组分的最佳碳源、氮源和无机盐分别为牛肉膏、酵母粉和氯化镁;影响菌株生长的显著性因素为酵母粉、培养温度、初始pH;基于响应面法优化后的培养条件为:牛肉膏质量分数为0.5%,酵母粉1.0%,氯化镁0.5%,pH 6.3,温度33℃,接菌量1.25%,转速160 r·min?1,培养时间24 h.[结论]根据最佳条件,进行重复试验得到优化后的菌液吸光度D(660)比对照提高了67.07%,与模型预测值相一致,表明优化后的条件显著促进了菌株的生长,达到预期目的.
假单胞菌、镉、Plackett-Burman设计、优化培养、响应面法
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Q935(微生物学)
"十三五"国家重点研发计划项目;科技部科技基础性工作专项
2020-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
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