10.19917/j.cnki.1005-0779.021165
电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠TGF-β-Smads信号通路作用机制研究
目的:电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠脑组织TGF-β-Smads信号通路作用及脑组织凋亡细胞影响.方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组和电针预处理组,采用线栓法建立局灶性脑缺血再灌注损伤模型,缺血再灌注后,收集脑组织,进行匀浆,采用酶联免疫法测定各组缺血脑组织中IL-1β与TNFα含量变化.应用western blot法检测各组缺血脑组织中TGF-β、Smad4及Caspase3蛋白表达.流式细胞分析各组细胞凋亡情况.结果:与假手术组比较,模型组脑组织中炎性因子IL-1β和TNFα含量明显增加(P<0.05);与模型组比较,提前给予电针预处理能够明显降低脑组织中炎性因子IL-1β和TNFα含量(P<0.05).Western blot结果发现:模型组中TGF-β、Smad4和Caspase3表达明显高于假手术组(P<0.05),与模型组比较,电针预处理组中TGF-β、Smad4表达显著提高(P<0.05),而Caspase3表达显著降低(P<0.05).流式细胞术检测结果显示与模型组比较电针预处理组可以显著抑制脑组织细胞凋亡.结论:电针预处理对脑缺血再灌注损伤具有保护作用,可以降低炎性因子,激活TGF-β/Smads信号通路,抑制脑组织细胞凋亡,最终对脑缺血再灌注损伤起到保护作用.
脑缺血再灌注损伤;电针;TGF-β/Smads;细胞凋亡
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R246.6(中医临床学)
教育部春晖计划,;黑龙江中医药大学科研基金,
2021-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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