p-ZnO∶(Ag,S)薄膜上生长ZnO纳米结构的研究

摘要：

利用水热法在p型银硫共掺ZnO(p-ZnO∶(Ag,S))薄膜上生长ZnO纳米结构.通过扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL)及吸收谱研究了p-ZnO∶(Ag,S)薄膜在不同温度下退火后对ZnO纳米结构及其光学特性的影响.当退火温度低于300℃时,SEM图像显示ZnO纳米结构为纳米柱形式出现,并且随着退火温度的升高纳米柱长度减小直径增加;当退火温度为350℃时,ZnO纳米结构出现了大量平板结构;当退火温度为400℃时,ZnO纳米结构又回归为纳米柱结构.XRD谱显示ZnO纳米结构以(002)择优取向进行生长,PL谱显示ZnO纳米结构以602 nm左右的缺陷发射峰占主导,吸收谱显示ZnO纳米结构的禁带宽度随退火温度的升高逐渐增大,在350℃时出现最大值,此后随退火温度升高而减小.通过在p-ZnO∶(Ag,S)薄膜上生长ZnO纳米结构的研究将更加有助于ZnO半导体器件的研究.

关键词：ZnO纳米结构、银硫共掺ZnO薄膜、退火温度

所属期刊栏目：44

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：浙江省高等教育教学改革项目Jg2015029;2015高等学校教学研究项目DWJZW201523hd;大学生科技创新项目2016R403001

在线出版日期：2016-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：671-675