低功耗单片低噪声放大器芯片

摘要：

基于0.15 μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动.供电电压为5V的条件下,芯片的工作带宽为19～24 GHz,增益和噪声系数分别为(24.7±0.2),(1.4±0.1)dB,电路总电流仅为5 mA.芯片尺寸为2 mm×1 mm.与其他相同工作频率、使用传统技术的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势.

关键词：低噪声放大器、电流复用、低功耗、有源偏置、鲁棒性

所属期刊栏目：44

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：广东省重大科技计划资助项目2015B010112002;广州市科技计划项目201504290917571

在线出版日期：2016-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：624-627