10.3969/j.issn.1006-4303.2012.06.020
C/SiC制备过程中的碳化工艺及碳化后碳支架性能的研究
对C/SiC复合材料制备过程中碳化工艺进行了探索,包括碳化前造孔剂类型及质量分数的确定,碳化过程中碳化温度和碳化速度的确定等.用SEM和XRD分别对碳化后碳支架的孔道结构和相结构进行了分析,此外,也对碳支架的收缩率做了一定的测试.结果表明:选择造孔剂为淀粉且质量分数在14%~16%为最佳,碳支架的孔道包含孔道,微孔和大孔三种类型,碳支架的相结构主要为玻璃态结构的石墨,且碳支架的收缩率在长度和半径方向均一致.
C/SiC复合材料、碳化工艺、碳支架
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TB332(工程材料学)
浙江工业大学新材料与加工重中之重学科开发基金资助项目20110901
2013-02-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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