单片集成pH值传感芯片的设计和研究

摘要：

基于标准0.6μm CMOS 工艺设计了单片集成 pH 值传感芯片,传感单元 MOS 管采用多层悬浮栅结构,氮化硅钝化层作为氢离子敏感层.片上信号处理电路恒定传感单元 MOS 管的源漏电压和源漏电流,控制传感单元输出电压与溶液 pH 值呈线性关系.传感芯片采用离子敏传感单元和参考单元的差分拓扑结构,减少电路的固定模式噪声.pH 值传感芯片经实测在 pH 值1～13范围内的平均灵敏度为35.8 mV/pH.

关键词：pH值传感芯片、氮化硅、灵敏度

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：浙江省教育厅基金资助项目Y200908500

在线出版日期：2011-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：97-100