一类考虑光学邻近效应的片内互连寄生电容提取方法

摘要：

大规模集成电路(ULSI)的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限,光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大畸变.文中基于BEM和神经网络技术,通过定义等效长度概念,建立了一个计算寄生参数的小型专家系统NNCE,以实现对光刻后实际版图的寄生电容参数的有效提取.一些简单环境中的矩形互连实例被用来比较光刻前后寄生参数的变化,数值模拟表明该方法具有良好的精度.

关键词：NNCE、光学邻近效应、寄生参数、边界元方法

所属期刊栏目：34

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：浙江省教育厅资助项目20051399

在线出版日期：2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：538-540,545