深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估

摘要：

通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律.模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,以及器件寿命与应力Vd的关系.

关键词：SOIPMOS、热载流子效应、器件退化

所属期刊栏目：31

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：410-413,418