10.3969/j.issn.1006-4303.2003.04.013
深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估
通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律.模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,以及器件寿命与应力Vd的关系.
SOIPMOS、热载流子效应、器件退化
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TN32(半导体技术)
2004-01-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
410-413,418