IGBT平面高压终端结构的研究

摘要：

耐压是IGBT的一个重要参数,所以其高压终端结构的研究一直受到人们的重视.针对常规采用的场限制保护环法和场板法高压终端结构的缺陷,本文提出了场板混合终端结构.此结构结合了场限制环和场板的各自优点,可使得击穿电压对环间距、氧化层厚度及氧化层电荷的敏感程度大大降低,从而简化了工艺的复杂性,并可获得最佳的耐压效果.本文首先对场板混合终端结构的优化设计进行了解析研究,提出了一套完整的设计理论,然后通过实验验证了此理论的正确性.

关键词：IGBT、高压终端结构、环场板混合终端、优化设计

所属期刊栏目：31

分类号：TN323+.4;TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：256-259,275