深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测

摘要：

分析并模拟了SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试,得到了不同应力条件下最大线性区跨导和阈值电压的退化结果,以及器件尺寸对这种退化的影响.并实验测试了一个SOINMOS器件电流电压特性的应力退化.

关键词：SOINMOS、器件退化、寿命

所属期刊栏目：31

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：165-168