深亚微米SOIMOS器件研究与设计

摘要：

利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序,详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压、饱和漏电流、电导、跨导等与工艺参数的关系,通过大量的模拟、计算,我们提出了小尺寸FD SOIMOSFET的设计方案,并根据该方案研制出性能优良的沟道长度为0.2μm的SOIMOS器件.

关键词：SOIMOSFET、模拟、研究与设计

所属期刊栏目：30

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：348-351