基于负反馈和有源偏置的宽带低噪放设计

摘要：

提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用 0.25 μm GaAs pHEMT 工艺设计和 SiP技术封装.通过调节封装内芯片外围负反馈电路实现增益平坦度优化,将低噪放工作频带拓展至 0.5~2 . 5 GHz,可有效覆盖GSM、TD-SCDMA、WCDMA、GPS等多个应用频段.片内的稳压及温度补偿有源偏置电路可对供电电压波动及环境温度变化进行有效补偿,以适应复杂工作环境.经测试,低噪声放大器的供电电压为 3 .3 V,功耗为40 mW,工作频率为0.5~2.5 GHz,带宽高达5 个倍频程,带内增益约为 14 dB,增益平坦度≤1 dB,噪声系数≤1 .3 dB,输入输出回波损耗≤-1 0 dB,输入三阶交调点≥1 dBm,封装后尺寸为 3 mm×3 mm×1 mm.

关键词：负反馈网络、宽带低噪放、有源偏置、SiP封装

所属期刊栏目：52

分类号：TN7(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61401395,61604128;浙江省教育厅资助项目Y201533913

在线出版日期：2018-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1081-1087