相变存储器预充电读出方法

摘要：

分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40 nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64 ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07 ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36 ns和128.1 ns.晶态单元读电流是4.84 μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.

关键词：相变存储器(PCM)、预充电、读出电路、随机读取时间、灵敏放大器(SA)

所属期刊栏目：52

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院战略性先导科技专项资助项目XDA09020402;国家集成电路重大专项资助项目2009ZX02023-003

在线出版日期：2018-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：531-536,568