N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化

摘要：

针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N 型横向双扩散 MOS 器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1) NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.

关键词：横向双扩散N型MOS器件、雪崩击穿、导通电阻退化、电荷泵

所属期刊栏目：45

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：浙江省科学技术厅科技计划资助项目2006C11007

在线出版日期：2011-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1038-1042