基于PVC薄膜的汞离子光寻址电位传感器

摘要：

通过不同浓度溶液的试验,对一种新型聚氯乙稀(PVC)薄膜汞离子敏感光寻址电位传感器进行了研究,PVC薄膜中的敏感物为5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol.采用硅烷化反应对光寻址电位传感器进行表面修饰,硅烷化前后的器件对单位pH(氢离子)的灵敏度分别为每67.299 mV和4.999 6 mV,线性相关系数分别为0.983 1和0.987 7.PVC膜成聚后,该传感器对汞离子有选择性的电位响应特性,显示了良好的重复性和稳定性,单位pHg(汞离子)的灵敏度为15.381 mV,线性相关系数为0.962 9,对其他离子的抑制比大于4.实验得到的检出下限为1.57 μg/L,响应时间为2～4 s,适用pH范围为3～6.

关键词：汞离子传感器、中性载流子敏感膜、光寻址电位传感器

所属期刊栏目：44

分类号：O657.15(分析化学)

资助基金：国家”973”重点基础研究发展计划资助项目2009CB320303

在线出版日期：2010-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1231-1236