硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征

摘要：

采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长.

关键词：简单加热法、SiC纳米线、气-固-液机制

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金

在线出版日期：2008-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：485-488,533