10.3785/j.issn.1008-973X.2005.08.031
铝基APCVD沉积SiOx膜层的光学性能研究
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁.
常压化学气相沉积(APCVD)、铝基SiOx膜层、显微结构、光学性能
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TB43;TN304.12(工业通用技术与设备)
中国科学院项目(非规范项目)50271065
2005-10-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1243-1246