轰击能量对Ti-Si-N纳米复合膜生长与力学性能的影响

摘要：

采用离子束辅助沉积法(IBAD)在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜,研究了轰击能量大小对Ti-Si-N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响,同时探讨了轰击能量对Ti-Si-N纳米复合薄膜的生长机理的影响.通过原子力显微镜(AFM)、纳米压入仪、光电子能谱(XPS)和X射线衍射分析(XRD)等现代分析技术,对Ti-Si-N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析.试验结果表明:当轰击能量为700 eV时,Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11 nm,此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高,为33 GPa.

关键词：离子束辅助沉积、纳米复合、Ti-Si-N薄膜、力学性能

所属期刊栏目：21

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：国防重点实验室基金9140C8502070703

在线出版日期：2008-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-65