辅助镀膜离子源及立方氮化硼薄膜的制备研究

摘要：

为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜.

关键词：离子源、离子束辅助沉积、立方氮化硼薄膜

所属期刊栏目：17

分类号：TS913.7

资助基金：国家自然科学基金59971065

在线出版日期：2004-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21